AIデータサーバで使用されるメモリデバイスの電源レギュレータ評価に最適な電子負荷

メモリ向けLDOレギュレータ(Low Dropout Regulator)は、DDRやSSDなどのメモリデバイスに対し、低電圧かつ高精度でノイズの少ない電源を供給するための電源ICです。メモリの読み書き(リード/ライト)時には負荷電流が急激に変化するため、LDOレギュレータには出力電圧の変動を最小限に抑える性能が求められます。
出力電圧の低下はメモリデバイスの動作不安定化や読み書きエラーの原因となるため、LDOレギュレータの評価では、低電流領域においても高速に変化する負荷電流を再現できる電子負荷が必要です。
ハイエンド多機能電子負荷「Load Fastシリーズ」は、数百mAの低電流領域においても約0.8A/μsの高速電流応答を実現しており、DDRやSSD向けLDOレギュレータの負荷過渡応答試験や電源評価に最適です。

解説

SSDやDDR5などのメモリデバイスの電源レギュレータIC評価

特長

  • 抵抗負荷と同様の特性をもち。電流遅れのない高速な電流立ち上がりを実現
  • 電流レンジ毎に20A/μs(60A)、2A/μs(6A)、0.5A/μs(0.6A)と高速電流応答特性
  • 負荷ノイズが発生しない。LDOなど低ノイズDC/DCコンバータに最適

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