半導体デバイスの絶縁膜の信頼性に最適な油中電極治具システム

半導体デバイスの絶縁膜の信頼性評価手法には、TDDB試験(経時絶縁破壊試験)とV-t試験(時間・電圧試験)があります。TDDB試験は一定の電圧を印加し続けて絶縁破壊までの時間を計測するのに対し、V-t試験は印加電圧を変化させながら絶縁破壊までの時間を計測する点が異なります。油中電極治具システムは両方の試験に対応しており、迷わず試験システムを導入できます。

解説

V-t試験およびTDDB試験に最適な高電圧電源

特長

  • 卓上タイプのベンチトップ型で超高電圧(最大AC20kV、DC20kV)の出力が可能
  • 電流測定分解能が0.1μA(DC)、1μA(AC)と、微小電流まで測定と遮断電流の設定が可能
  • ASTMおよびJIC規格に準拠した電極治具を準備
  • 特注でご要望の電極治具の製作も可能

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