半導体デバイスのTDDB試験に最適な超高電圧耐電圧試験器

半導体デバイスの絶縁膜の信頼性評価手法には、TDDB試験（経時絶縁破壊試験）があります。TDDB試験とは、絶縁膜が一定電圧下で時間とともに劣化し、最終的に絶縁破壊に至る現象であるTDDB（時間依存性絶縁破壊）を評価する方法です。超高電圧耐電圧試験器「7700シリーズ」は、交流または直流で最大20kVまで出力でき、油中・気中電極治具と組み合わせることで、最大200℃までの高温環境下で加速試験も可能です。

特長

• 卓上タイプのベンチトップ型で超高電圧（最大20kV)）の出力が可能
• 電流測定分解能が0.1μA(DC)、1μA(AC)と、微小電流まで測定と遮断電流の設定が可能
• 油中電極治具装置と組み合わせることで、最大200℃まで高温環境中の加速試験が可能

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