IGBT

バイポーラトランジスタのベースにＦＥＴを組み合わせた構造の素子。大電流を小信号の制御電圧でコントロール出来る利点がある。ＦＥＴに比べスイッチング速度がやや遅いが、あまり高速度スイッチングを必要としないインバータに広く使用されている。