電子部品（電源）
SiC・GaNなどワイドバンドギャップ半導体の絶縁破壊試験
このアプリでは、ポストSiのパワー半導体としてますます高耐圧化が進んでいるSiC（シリコンカーバイト）とGaN（窒化ガリウム）の耐電圧試験に最適な10kV及び20kVの耐電圧試験器7700シリーズをご紹介します。
パワーデバイス（MOSFET、IGBT）の大電流ONステート試験
直流電源の出力を高速大電流電子負荷により電流制御することで、大電流パルスを利用した パワーデバイスのONステート試験が可能となります。汎用の低価格な直流電源と高速電子負荷を組み合わせることで、比較的低価格で大電流パルスを生成することが可能です。
電子負荷装置は標準装備のブースター機能により複数台接続し、最大5kW, 2025Aまで容量アップして同期運転することができますので、あたかも1台の電子負荷装置として使用することができます。
リードフレーム材料の評価
半導体などの様々なデバイスに使用されるリードフレーム材料の評価をする際、直流電源を使って電流を流し、電気抵抗や温度変化の測定が必要となります。このような場合、コンパクトワイドレンジ直流電源WSシリーズを使用すれば比較的ローコストに実現することができます。
PLCによるコネクタの絶縁・耐圧高速試験方法
コネクタの生産ラインではより速いタクト時間が求められております。タクト時間の高速化とPLCとのコントロールは信頼性と高速化の要求には不可欠です。ランプアップ・ダウン時間及びデュエル時間が短く、PLCとの接続が可能な耐圧試験器を使用することで、コネクタの生産性を効率よく行うことができます。
キャパシタのESL,ESRの検出・評価方法
近年ではFPGAやCPUの高速化により周辺に使われるキャパシタの低ESR化や低ESL化が進み計測が困難になってきておりますが、超高速電子負荷を用いることで、ESLやESRを分離して測定することが可能となりました。
電子デバイス向け電流サージ印加試験
容量性負荷やモータなどに流れる電流は小さな負荷であっても数ミリ、数マイクロ秒の短時間で数十アンペアとなることがあります。この電流サージは負荷をコントロールする回路、電子デバイスにも流れるためデバイスを破壊する可能性があります。このような電流サージを再現して保護デバイスや電子デバイスの耐性の評価が必要となります。
耐電圧試験器で実現する高電圧I-V特性試験
半導体のI-V特性はカーブトレーサなど専用の高価な測定器が必要とされていましたが、多機能安全試験器7730を使うことによりカーブトレーサではできなかった5kVまでの高電圧I-V特性の計測が可能です。もちろん絶縁耐圧や絶縁抵抗試験などの一般的な安全試験器としても使用することができますので1台2役のご使用も可能となっております。
携帯電話/ スマートフォン用DC/DCコンバータの評価
近年の携帯電話、スマートフォンや電子書籍端末など、モバイル端末に内蔵されたRFパワーアンプ用昇降圧DC/DCコンバーターICは、低電圧化（動作電圧：1V以下）及び高速化（動作周波数：数MHz 以上）しており、その負荷特性を評価するためには低電圧動作、高速応答の電子負荷装置が必要となります。
高速定電流電源による双方向コンバータの評価
このアプリでは、ハイエンド多機能電子負荷装置Load Station シリーズのダイナミック（スイッチング）モード及びマルチチャンネル同期運転機能を応用した「高速定電流電源」の実現方法をご紹介します。
