SiCって、そもそもナニ？

SiCとは、Silicon Carbide（シリコンカーバイド） の略称で、Si（シリコン） と C（炭素） から構成される化合物半導体です。

従来の半導体材料であるシリコン（Si）と比べて、絶縁破壊電界強度が約10倍と非常に高い という特長があります。
このため、高電圧を扱う回路でも安全かつ安定した動作が可能です。

パワーエレクトロニクス分野で注目される理由

SiCは、高耐圧性能に加え、

• 高温環境でも動作しやすい
• 電力損失が少ない
• 高速なスイッチングが可能

といった特性を持っています。

パワーエレクトロニクス用の高耐電圧デバイスに適した材料として注目されています。

主な用途例

SiCを用いたパワー半導体は、次のような分野で利用されています。

• EV（電気自動車）やPHEVのインバータ
• 急速充電器
• 太陽光発電システムや蓄電システムのPCS
• 産業機器や電源装置

電力を効率よく変換・制御する装置ほど、SiCの特長が活かされます。

Si（シリコン）との違い

• Si（シリコン）
  コストが低く、幅広い機器で使用されている
• SiC（シリコンカーバイド）
  高耐圧・高効率が求められる用途に適している

用途に応じて材料が使い分けられています。

まとめ

SiCとは、

• SiとCで構成される化合物半導体
• 絶縁破壊電界強度が高く、高電圧に強い
• パワーエレクトロニクス分野で重要な材料

という特長を持つ技術です。

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