半導体
半導体デバイスの絶縁膜の信頼性に最適な油中電極治具システム
半導体デバイスの絶縁膜の信頼性評価には、TDDB試験（経時絶縁破壊試験）が用いられます。この試験は、絶縁膜が電圧下で時間とともに劣化し、最終的に絶縁破壊に至る過程を評価する方法です。超高電圧耐電圧試験器「7700シリーズ」は最大20kVまで出力でき、油中・気中電極治具を組み合わせることで、200℃までの高温環境下で加速試験を行うことができます。
半導体デバイスのTDDB試験に最適な超高電圧耐電圧試験器
半導体デバイスの絶縁膜の信頼性評価には、TDDB試験（経時絶縁破壊試験）が用いられます。この試験は、絶縁膜が電圧下で時間とともに劣化し、最終的に絶縁破壊に至る過程を評価する方法です。超高電圧耐電圧試験器「7700シリーズ」は最大20kVまで出力でき、油中・気中電極治具を組み合わせることで、200℃までの高温環境下で加速試験を行うことができます。
半導体の絶縁耐力試験に用いる低温（冷凍温度）時の油中試験方法
恒温槽内で使用する油槽治具において冷凍温度以下から室温などの温度サイクル試験をした場合、熱膨張が発生し油槽治具を破損してしまう可能性があります。弊社特注低温油槽治具は本問題点を考慮し、ACまたはDC20kV出力可能な耐電圧試験器と-50℃まで測定可能な温度測定器とあわせたシステムとして、低温時（冷凍温度下）の絶縁耐力試験環境を構築することが可能です。
シャント抵抗を利用した超高電圧試験時の電流波形観測方法
で電流波形モニターがない試験器で電流波形を観測したい場合、シャント抵抗をリターン(GND)側へ設置することで、オシロスコープによる電流波形観測が可能です。絶縁材料や半導体部品における実際の絶縁破壊時の電流波形などの観測をすることができます。
IGBT, SiCパワーデバイスの20kV耐圧試験
このアプリケーションでは、AC20kV/10mA、DC20kV/5mAまでの耐電圧試験について、大型の設備を用意せずに卓上で実験可能な例をご紹介します。また、安全試験器単体でステップ昇圧試験やランプアップ試験を行う事ができます。