油中/気中電極治具装置
JIS C2 110/ASTM D 149に準拠した半導体および絶縁材料の試験用治具をご紹介します。

半導体・絶縁材料評価試験装置

JISC2110 規格試験に準拠

試験方法短時間(急速昇圧)試験20秒段階昇圧試験
(60秒段階昇圧試験)
低速昇圧試験120~240秒
(超低速昇圧試験300~600秒)
試験内容
(JISC2110より抜粋)
一般的に10~20秒で絶縁破壊が起こるよう昇圧速度を選択し電圧を印加する試験です。昇圧速度は、
100V/s、200V/s、500V/s、1000V/s、2000V/s、5000V/sから選択します。多くの種類の材料に対して、一般的に用いられる電圧昇圧速度は、500V/sとなります。ただし成型材料に関しては、IEC60296とのデータ比較可能な測定値を得る為に、2000V/sの電圧上昇速度を推奨されております。
短時間試験から予想される絶縁破壊電圧の40%を印加し、この電圧で20秒(60秒)加えても破壊しなければ、規定の段階電圧に従い、順次20秒(60秒)ずつ高い電圧を加え破壊するまで続ける試験です。絶縁破壊の強さは20秒に耐えた最も高い電圧に基づいて決定されます。予想される絶縁破壊電圧の40%から一定速度で昇圧する試験です。
昇圧開始後120~240秒(300~600秒)の間に絶縁破壊が起こるように
昇圧速度を選択します。昇圧速度は1V/s、5V/s、10V/s、20V/s、50V/s、100V/s、500V/s、1000V/sから選択します。
上記試験を7470 Seriesで行った場合7470Seriesで標準対応です。
Opt.7011、Opt.7012連続印加オプションを追加することで対応可能となります。