アプリケーション情報を追加しました

新規アプリケーションとして以下を追加いたしました。

半導体デバイスのTDDB試験に最適な超高電圧耐電圧試験器

半導体デバイスの絶縁膜の信頼性評価には、TDDB試験（経時絶縁破壊試験）が用いられます。この試験は、絶縁膜が電圧下で時間とともに劣化し、最終的に絶縁破壊に至る過程を評価する方法です。超高電圧耐電圧試験器「7700シリーズ」は最大20kVまで出力でき、油中・気中電極治具を組み合わせることで、200℃までの高温環境下で加速試験を行うことができます。