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高電圧デバイスの評価には、試験規格に準拠した試験方法で行うことが必要です。また、確実に高電圧が印加できる治具装置も必要となります。規格に準拠した治具を使用することで正確な試験結果で評価することができます。

【 JIS C2110に準拠したSiCの絶縁破壊試験(気中) 】

ポストSiのパワー半導体としてますます高耐圧化が進んでいるSiC(シリコンカーバイト)とGaN(窒化ガリウム)の高耐圧化に伴い、JISC2110規格にて規定されている電極治具に加えてさらに安全面の機能を強化した気中電極治具装置を使用した10kV及び20kVでの絶縁破壊試験が可能です。

JISC2120_air

【 ジャンクション温度におけるSiCの絶縁破壊試験 】

SiCなどの高電圧デバイスの絶縁破壊試験に適した超高電圧耐圧試験器です。
高電圧時の空気放電がなく、供試デバイスに正しく高電圧を印加することができます。
最大250℃の温度で検査可能です。これにより、ジャンクション温度上昇時の絶縁耐量の測定を行うことが可能です。

JISC2110fixtureTest

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