No.08 パワーデバイス（MOSFET、IGBT）の大電流ONステート試験

直流電源の出力を高速大電流電子負荷により電流制御することで、大電流パルスを利用した パ ワーデバイスのON ステート試験が可能となります。汎用の低価格な直流電源と高速電子負荷 を組み合わせることで、比較的低価格で大電流パルスを生成することが可能です。
電子負荷装置は標準装備のブースター機能により複数台接続し、最大5kW, 2025A まで容量アップして 同 期運転することができますので、あたかも1 台の電子負荷装置として使用することができます。
さらにシステムソースメータと半導体測定統合ソフトウェアによりGate 制御、Drain 電圧を高精度にサン プリングし、グラフ化することが可能になりました。